LOADING
کوره پلاسما PVD CVD برای عملیات سطحی
چگونه این محصول را خریداری کنم؟
درخواست قیمت
درخواست مشاوره و مدارک فنی
پرسش
خدمات خرید VIP
شما می توانید از سرویس رایگان نمایشگاه استفاده نموده و درخواست خود را مستقیما به شرکت سازنده ارسال نمایید و پس از دریافت قیمت و با ورود اطلاعات به " ماشین محاسبه قیمت ریالی " از قیمت ریالی کالا بصورت تخمینی مطلع شوید . اگر مایلید مکاتبه با شرکت سازنده ، تبادل اطلاعات و دریافت قیمت ارزی و ریالی توسط کارشناسان این مجموعه انجام شود لطفا از این طریق اقدام فرمایید. استفاده از این سرویس مستلزم پرداخت هزینه است . برای دریافت اطلاعات بیشتر با تلفن 41995 تماس حاصل فرمایید.
ادامه
ادامه
در صورتی که قیمت ارزی محصول را در اختیار دارید پس از عضویت و ورود به سایت می توانید فرم مربوطه را تکمیل و به همراه تصویر پرفورمای شرکت سازنده ارسال نمایید تا کارشناسان ما در اسرع وقت نسبت به محاسبه هزینه های حمل و ترخیص و صدور پیش فاکتور ریالی اقدام نمایند. هزینه استفاده از این سرویس برای هر درخواست 25 یورو می باشد. صنایع معظم در صورت تمایل به استفاده از این خدمات می توانند بدون نیاز به عضویت و پرداخت هزینه درخواست خود را به همراه کپی پرفورمای شرکت سازنده به ایمیل enquiry@iranindustryexpo.com و یا فاکس 88206264 بنام شرکت مهندسی و بازرگانی مشگاد ارسال نمایند.
در صورت عقد قرار داد مبلغ دریافتی به حساب خریدار عودت می شود.
ادامه
افزودن به لیست علاقه مندی ها
سایر سازندگان این محصول
درخواست قیمت ریالی
اگر مجموعه شما جزو صنایع مادر و معظم در فیلد پالایشگاه ، پتروشیمی ، حفاری ، نیروگاه ، معادن و فلزات ، خودروسازی ، تولید مواد غذایی و دارویی و.... می باشد لطفا درخواست خود را بر روی سربرگ به فاکس 88206264 و یا ایمیل enquiry@iranindustryexpo.com بنام شرکت مهندسی و بازرگانی مشگاد ارسال فرمایید.
کارشناسان این مجموعه در اسرع وقت با شما تماس خواهند گرفت .
بازدیدکننده محترم، از اینکه سایت ایران اینداستری را برای منابع یابی انتخاب کرده اید، از شما سپاسگزاریم.
اطلاعاتی برای نماینده شرکت OMICRON در ایران یافت نشد.
لطفا با انتخاب هر یک از بخش های فوق، درخواست خود را ارسال فرمایید تا توسط واحد بازرگانی ایران اینداستری اکسپو بررسی شود.
مشخصات فنی
-
Options:
CVD, PVD, for surface treatment
RF Atom Source for atomic oxygen and atomic nitrogen
Minimized power losses due to optimized design
Discharge zone is manufactured from high-quality materials ensuring a minimal contamination of the beam
Zero-ion current configuration as standard
The growth of high-quality compound materials ideally require neutral, atomic species. Whereas molecular gases such as oxygen or nitrogen have shown to orders of magnitude less reactive than if dissociated into atomic form.
Therefore oxide formation using molecular oxygen typically requires highly elevated temperatures and/or extended oxidation periods, while molecular nitrogen shows almost no reactivity for many materials.
Thus the dissociated species are increasing the reactivity by many orders of magnitude and therefore allows oxides or nitrides to be grown at low pressure and at reasonable substrate temperatures.
However, ionic species generated in plasma processes tend to be energetic and possibly create point defects. On the other hand, atomic species carry negligible kinetic energy and therefore allow rapid film growth without generating defects.
Minimized power losses due to optimized design
Discharge zone is manufactured from high-quality materials ensuring a minimal contamination of the beam
Zero-ion current configuration as standard
The growth of high-quality compound materials ideally require neutral, atomic species. Whereas molecular gases such as oxygen or nitrogen have shown to orders of magnitude less reactive than if dissociated into atomic form.
Therefore oxide formation using molecular oxygen typically requires highly elevated temperatures and/or extended oxidation periods, while molecular nitrogen shows almost no reactivity for many materials.
Thus the dissociated species are increasing the reactivity by many orders of magnitude and therefore allows oxides or nitrides to be grown at low pressure and at reasonable substrate temperatures.
However, ionic species generated in plasma processes tend to be energetic and possibly create point defects. On the other hand, atomic species carry negligible kinetic energy and therefore allow rapid film growth without generating defects.