منابع یابی و خرید تجهیزات صنعتی

ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET

6 محصول صنعتی 4 شرکت
Fairchild Semiconductor
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
24 - 160°C | QSE1xx series

Phototransistor:The Fairchild Semi-Conductor Photo Sensor – Transistors QSE133 boasts an NPN silicon phototransistor with a medium wide reception angle of 50°. This highly sensitive, silicon made tool is enclosed in a widespread angle, infrared translucent and packed with black plastic and epoxy sidelooker. Lastly, the product has a daylight filter.

International Rectifier
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
Power MOSFET

این ابزار چندمنظوره و مقاوم می باشد و از کارایی و قابلیت اطمینان بالایی برخوردار است و برای ابزارهایی همچون لیفتراک ها مناسب می باشد.

ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
IGBT (300 - 1200 V | IRG Series)

شرکت international rectifier نوعی IGBT از 300V تا 1200V عرضه می کند و از فناوری خاصی بهره می گیرد که بهترین عملکرد را برای کاربردهای مختلف ارائه میکند.

OMRON Electrical Components
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
EE-SX series

Phototransistor:This product series, considered as one of the vastest array of transmissive photomicrosensors in the market, consistently offers an encompassing SMD, a through-hole PCM, snap-in, solder tab and screw-mounted solutions in a variety of package sizes.

Renesas Electronics
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
Power MOSFET

مجموعه MOSFET قدرت از شرکت Renesas Electronics از 25V تا 1500V Vdss جهت انواع کاربردهای صنعتی و خودروسازی برای مصرف کنندگان مختلف مناسب است.

ترانزیستورهای دوقطبی،IGBT،MOSFET
IGBT (G7H series)

این IGBT از شرکت Renesas از فناوری پیشرفته ای بهره می گیرد و در حوزه های صنعتی بسیار کارامد است و جهت منابع تغذیه مانند PFC ها، IH، اینورتر خورشیدی و موتور درایوها مناسب است.

توضیحات فنی

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. دو دسته مهم از ترانزیستورها,  ترانزیستور اثر میدانی (FET) یا MOSFET و ترانزیستور دوقطبی پیوندی (BJT) میباشند.

ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) نوعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس  (B) ، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد که با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. یکی از انواع ترانزیستور BJT , ترانزیستور نوری یا فوتودیود میباشد که جریان بیس آن با برخورد نور به ناحیهٔ نیمه رسانای حساس به نور بیس ایجاد میشود.

در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستورهای  MOSFET جریان ورودی گیت آنها صفر است  همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند و مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.

IGBT ها یا ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده یک ترانزیستور دو قطبی است که در ورودی آن ها از Mosfet استفاده شده است و در واقع ترکیبی از ترانزیستور های دو قطبی (BJT) و (Mosfet) می باشد و با ترکیب مزایای آن دو یک المان برق صنعتی با سرعت سوئیچ بالا و جریان ورودی کم خلق شده است .

توضیحات فنی

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. دو دسته مهم از ترانزیستورها,  ترانزیستور اثر میدانی (FET) یا MOSFET و ترانزیستور دوقطبی پیوندی (BJT) میباشند.

ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) نوعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس  (B) ، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد که با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. یکی از انواع ترانزیستور BJT , ترانزیستور نوری یا فوتودیود میباشد که جریان بیس آن با برخورد نور به ناحیهٔ نیمه رسانای حساس به نور بیس ایجاد میشود.

در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستورهای  MOSFET جریان ورودی گیت آنها صفر است  همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند و مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.

IGBT ها یا ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده یک ترانزیستور دو قطبی است که در ورودی آن ها از Mosfet استفاده شده است و در واقع ترکیبی از ترانزیستور های دو قطبی (BJT) و (Mosfet) می باشد و با ترکیب مزایای آن دو یک المان برق صنعتی با سرعت سوئیچ بالا و جریان ورودی کم خلق شده است .

تعداد نمایش شرکت ها در صفحه

جستجو مرتبط

جستجو بر اساس کشور سازنده

جستجوی گسترده

جستجو بر اساس شرکت


Warning: IC24: trying to acquire a segment type 0 in Unknown on line 0

Warning: IC24: Unexpected segment type 0 found in message list in Unknown on line 0